爱思开海力士有限公司李南宰获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114067857B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110333576.X，技术领域涉及：G11C5/02；该发明授权半导体存储器装置是由李南宰设计研发完成，并于2021-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置在说明书摘要公布了：本申请公开了半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法。一种半导体装置包括：在第一方向以及与第一方向交叉的第二方向上延伸的基板；设置在基板的一侧的多个输入输出焊盘；在第一方向上与输入输出焊盘相邻的第一电路；第二电路，其被设置为比第一电路在第一方向上与输入输出焊盘间隔开更远；与第一电路交叠的第一存储器单元阵列；与第二电路交叠的第二存储器单元阵列；与第一存储器单元阵列交叠并且在第二方向上彼此间隔开的多个第一金属源极图案；以及与第二存储器单元阵列交叠并且在第二方向上宽度比各个第一金属源极图案的宽度宽的第二金属源极图案。
本发明授权半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括： 基板，该基板在第一方向以及与所述第一方向交叉的第二方向上延伸； 多个输入输出焊盘，所述多个输入输出焊盘设置在所述基板的一侧； 第一电路，该第一电路在所述第一方向上与所述输入输出焊盘相邻； 第二电路，该第二电路被设置为比所述第一电路在所述第一方向上与所述输入输出焊盘间隔开更远； 第一存储器单元阵列，该第一存储器单元阵列与所述第一电路交叠； 第二存储器单元阵列，该第二存储器单元阵列与所述第二电路交叠； 多个第一金属源极图案，所述多个第一金属源极图案与所述第一存储器单元阵列交叠，其中，所述多个第一金属源极图案在所述第二方向上彼此间隔开；以及 第二金属源极图案，该第二金属源极图案与所述第二存储器单元阵列交叠，其中，在所述第二方向上，所述第二金属源极图案的宽度比各个所述第一金属源极图案的宽度宽。
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