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长江存储科技有限责任公司杨涛获国家专利权

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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利非易失性存储器及其数据擦除方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114067890B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111323249.2,技术领域涉及:G11C16/14;该发明授权非易失性存储器及其数据擦除方法是由杨涛;赵冬雪;刘磊;杨远程;张坤;周文犀;夏志良设计研发完成,并于2021-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

非易失性存储器及其数据擦除方法在说明书摘要公布了:本申请实施例公开了一种非易失性存储器及数据擦除方法。存储器包括多个存储单元串,每个存储单元串包括串接的选择栅晶体管和存储单元。方法包括:向待进行擦除操作的存储单元串施加具有台阶状上升的电压波形的台阶擦除电压;在台阶擦除电压从其中间电平升高至其峰值电平期间,将选择栅晶体管的电压从其起始电平升高至其预定峰值电平,并将预定区域的电压从其起始电平升高至其预定峰值电平,从而在存储单元串中生成栅极感应漏极泄漏电流,预定区域邻近选择栅晶体管,并包括至少一个存储单元。通过对选择栅晶体管和邻近选择栅晶体管的预定区域施加偏置电压,可在存储单元串的沟道中生成栅极感应漏极泄漏电流,实现有效地数据擦除。

本发明授权非易失性存储器及其数据擦除方法在权利要求书中公布了:1.一种非易失性存储器的数据擦除方法,其特征在于,所述存储器包括多个存储单元串,每个所述存储单元串包括串接的选择栅晶体管和存储单元,多个所述存储单元串被形成为存储块,所述存储块包括垂直堆叠的多个层级,所述存储单元串包括分属于不同层级的多个子存储单元串,所述方法包括: 向待进行擦除操作的存储单元串施加台阶擦除电压,所述台阶擦除电压具有台阶状上升的电压波形;以及 在所述台阶擦除电压从其中间电平升高至其峰值电平期间,将所述选择栅晶体管的电压从其起始电平升高至其预定峰值电平,并将预定区域的电压从其起始电平升高至其预定峰值电平,从而在所述存储单元串中生成栅极感应漏极泄漏电流, 其中,所述预定区域邻近所述选择栅晶体管,并包括至少一个所述存储单元。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司,其通讯地址为:430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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