英飞凌科技股份有限公司M·诺曼获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利功率半导体模块装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078790B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110930171.4，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权功率半导体模块装置及其制造方法是由M·诺曼;E·茨瓦尔设计研发完成，并于2021-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体模块装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开内容涉及功率半导体模块装置及其制造方法。一种功率半导体模块装置100包括：衬底10，包括电介质绝缘层11和附着到电介质绝缘层11的第一金属化层111；至少一个半导体主体20，安装在第一金属化层111上；以及第一层，包括密封剂5，第一层布置在衬底10上并且覆盖第一金属化层111和至少一个半导体主体20，其中，第一层被配置为在超过定义的阈值温度的温度下释放液体或油。
本发明授权功率半导体模块装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体模块装置100，包括： 衬底10，包括电介质绝缘层11和附着到所述电介质绝缘层11的第一金属化层111； 至少一个半导体主体20，安装在所述第一金属化层111上；以及 第一层，包括密封剂5，所述第一层布置在所述衬底10上并且覆盖所述第一金属化层111和所述至少一个半导体主体20，其中， 所述第一层被配置为在超过定义的阈值温度的温度下释放液体或油，使得如果在所述电介质绝缘层11中出现裂纹，则所述裂纹由所释放的液体或油填充； 从所述密封剂5释放的液体或油的粘度低于1mPas；并且 在室温下从所述密封剂5释放的液体或油的表面张力小于25mNm-1。
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