长江存储科技有限责任公司潘震获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121887B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111397671.2，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由潘震;伍术设计研发完成，并于2021-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括衬底一侧的功能层，以及功能层背离衬底一侧的连接线，功能层中可以包括多个功能单元，以及在垂直所述衬底表面的方向上贯穿所述功能层的隔离结构，所述隔离结构在平行所述衬底表面的方向延伸，以将所述多个功能单元分隔为多组；所述连接线用于与所述功能单元电连接，隔离结构与功能层形成方式不同，延伸方向不同，因此隔离结构和功能层的接触位置的机械强度较差，容易断裂，因此可以设置隔离结构和连接线在衬底表面上的投影相交，即可以在隔离结构正上方设置连接线，连接线跨过隔离结构设置，从而可以增强隔离结构和功能层的接触位置的机械强度，从而增强半导体器件的整体机械强度。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底一侧的功能层，以及所述功能层背离所述衬底一侧的连接线；所述功能层中包括多个功能单元，以及在垂直所述衬底表面的方向上贯穿所述功能层的隔离结构，所述隔离结构在平行所述衬底表面的方向延伸，以将所述多个功能单元分隔为多组；所述连接线用于与所述功能单元电连接；所述隔离结构在所述衬底表面上的投影和所述连接线在所述衬底表面上的投影相交； 所述连接线包括沿第一方向延伸的第一部分和沿第二方向延伸的第二部分； 所述第一方向与所述隔离结构在平行衬底表面的延伸方向相交，所述第一部分在所述衬底表面的投影与所述隔离结构在所述衬底表面的投影具有重叠区域；和或，所述第二方向与所述隔离结构在平行衬底表面的延伸方向相交，所述第二部分在所述衬底表面的投影与所述隔离结构在所述衬底表面的投影具有重叠区域。
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