南亚科技股份有限公司杨仓博获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121894B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110947577.3，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体结构是由杨仓博设计研发完成，并于2021-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构。该半导体结构包括一晶片及一测试结构。该测试结构配置在该晶片上，且包括一第一元件以及一第二元件。该第一元件包括一第一源极漏极层以及设置该在该第一源极漏极层上的一第一栅极层。该第二元件包括一第二源极漏极层以及设置在该第二源极漏极层上的一第二栅极层。该第二栅极层连接该第一栅极层。该第一栅极层沿一第一方向设置，以及该第二栅极层沿正交该第一方向的一第二方向设置。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 一晶片；以及 一测试结构，设置在该晶片上，并包括： 一第一元件，包括一第一源极漏极层以及一第一栅极层，其中该第一栅极层设置在该第一源极漏极层上；以及 一第二元件，包括一第二源极漏极层以及一第二栅极层，其中该第二栅极层设置在该第二源极漏极层上，且该第二栅极层连接该第一栅极层； 其中，该第一栅极层沿一第一方向设置，该第二栅极层沿一第二方向设置，该第一方向正交该第二方向； 沿所述第一方向设置的所述第一元件的所述第一栅极层的材料的晶格方向与所述晶片的材料的晶格方向不同，所述第二元件的所述第二栅极层的材料的晶格方向与所述晶片的晶格方向相同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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