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晶澳太阳能有限公司王贵梅获国家专利权

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龙图腾网获悉晶澳太阳能有限公司申请的专利太阳能电池硅片的背面钝化工艺的检测方法及优化方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114188237B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111345231.2,技术领域涉及:H01L21/66;该发明授权太阳能电池硅片的背面钝化工艺的检测方法及优化方法是由王贵梅;朱少杰;许志卫设计研发完成,并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

太阳能电池硅片的背面钝化工艺的检测方法及优化方法在说明书摘要公布了:一种太阳能电池硅片的背面钝化工艺的检测方法及优化方法,所述硅片的背面顺次沉积有多个钝化膜层,所述检测方法包括:所述硅片的背面钝化工艺中,在所述硅片的背面分别沉积至所述多个钝化膜层的每一层后,进入PL测试步骤,制得沉积有不同钝化膜层数量的多个测试硅片的PL图像;对比所述多个测试硅片的PL图像的暗色区域的相对变化确定所述硅片的钝化效果不佳的钝化膜层。本发明能更有针对性的对背面钝化工艺的具体步骤进行检测及优化。

本发明授权太阳能电池硅片的背面钝化工艺的检测方法及优化方法在权利要求书中公布了:1.一种太阳能电池硅片的背面钝化工艺的检测方法,其特征在于:所述硅片的背面顺次沉积有多个钝化膜层,所述检测方法包括: 所述硅片的背面钝化工艺中,在所述硅片的背面分别沉积至所述多个钝化膜层的每一层后,进入PL测试步骤,制得沉积有不同钝化膜层数量的多个测试硅片的PL图像; 对比所述多个测试硅片的PL图像的暗色区域的相对变化确定所述硅片钝化效果不佳的钝化膜层;所述对比多个测试硅片的PL图像的暗色区域的相对变化包括对比所述多个测试硅片的PL图像的暗色区域,观察PL图像暗色区域是否出现面积变大和或发暗程度变深的情况;若其中一个测试硅片的PL图像暗色区域面积变大和或发暗程度变深,确定该测试硅片镀设的最后一个钝化膜层钝化效果不佳。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人晶澳太阳能有限公司,其通讯地址为:055550 河北省邢台市宁晋县晶龙大街;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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