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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242719B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111563873.X，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权半导体器件及其制造方法是由天羽生淳设计研发完成，并于2016-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明的各个实施例涉及半导体器件及其制造方法。在包括在半导体器件中混在一起的分离栅极型MONOS存储器以及具有部分地嵌入在形成在半导体衬底的主表面中的沟槽中的上电极的沟槽电容器元件的半导体器件中，嵌入在沟槽中的上电极的顶表面的平整度得到改进。形成在半导体衬底之上以形成形成MONOS存储器的存储器单元的控制栅极电极的多晶硅膜嵌入在形成在电容器元件形成区域中的半导体衬底的主表面中的沟槽中，从而形成包括有在沟槽中的多晶硅膜的上电极。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件的方法，包括： a提供半导体衬底，所述半导体衬底具有主表面，所述主表面包括存储器单元形成区域和电容器元件形成区域； b在所述存储器单元形成区域中，经由第一绝缘膜在所述半导体衬底的所述主表面上方形成第一导体膜； c图案化所述第一导体膜以形成控制栅极电极，所述控制栅极电极由在所述存储器单元形成区域中经由所述第一绝缘膜在所述半导体衬底的所述主表面上方的所述第一导体膜形成； d在所述步骤c之后，在所述电容器元件形成区域中的所述半导体衬底的所述主表面中形成沟槽； e在所述沟槽的上表面和所述控制栅极电极上形成第二绝缘膜，所述第二绝缘膜具有电荷累积膜； f在所述步骤e之后，在所述第二绝缘膜上形成第二导体膜以覆盖所述沟槽和所述控制栅极电极； g使所述第二导体膜经受蚀刻处理，以形成存储器栅极电极和第一电极，所述存储器栅极电极由所述存储器单元形成区域中的所述第二导体膜形成，所述第一电极由所述电容器元件形成区域中的所述第二导体膜形成； h在所述步骤g之后，在由所述存储器单元形成区域中的所述控制栅极电极和所述存储器栅极电极限定的所述半导体衬底的所述主表面中，形成第一源极漏极区域对；以及 i在所述第一电极上方形成第一插塞，并且在所述半导体衬底的所述主表面上方形成第二插塞，所述第一插塞和所述第二插塞分别与所述第一电极和所述半导体衬底的所述主表面电耦合， 其中所述控制栅极电极、所述存储器栅极电极和所述第一源极漏极区域对形成非易失性存储器的存储器单元，并且 其中所述第一电极、所述第二绝缘膜和在所述第一电极之下的所述半导体衬底形成电容器元件。

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