中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司肖张茹获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334795B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011047104.X，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由肖张茹;荆学珍;张浩;于海龙;张田田设计研发完成，并于2020-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体基底，所述半导体基底上形成有层间介质层；接触结构，位于所述层间介质层中，所述接触结构顶面低于所述层间介质层顶面；保护层，位于所述接触结构表面，所述保护层的顶面低于所述层间介质层的顶面。本申请所述的半导体结构及其形成方法，在部分刻蚀后的接触结构表面形成保护层，可以避免源极和漏极上的接触结构中的金属原子迁移到介质层中，影响后续工艺，降低器件可靠性。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体基底以及位于所述半导体基底上的层间介质层； 在所述层间介质层中形成贯穿所述层间介质层的接触结构； 部分刻蚀所述接触结构使所述接触结构顶面低于所述层间介质层顶面以在所述层间介质层中形成暴露所述接触结构的沟槽； 在所述接触结构表面形成保护层，所述保护层的顶面低于所述层间介质层的顶面，在所述接触结构表面形成保护层的方法包括：采用化学气相沉积工艺在所述层间介质层表面，沟槽侧壁以及表面沉积保护材料层，所述接触结构表面的保护材料层与所述接触结构原位形成所述保护层；刻蚀去除所述层间介质层表面以及沟槽侧壁的保护材料层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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