沃思电子埃索斯有限责任两合公司热里奥·安德烈夫获国家专利权
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龙图腾网获悉沃思电子埃索斯有限责任两合公司申请的专利用于发光的发射器和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114342097B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080061271.1，技术领域涉及：H10H20/858；该发明授权用于发光的发射器和方法是由热里奥·安德烈夫;马塞尔·多尔设计研发完成，并于2020-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于发光的发射器和方法在说明书摘要公布了：描述了一种用于发光的发射器1和方法。发射器1具有衬底2，该衬底具有衬底表面3；以及至少一个LED元件5，该至少一个LED元件布置在所述衬底表面3上以用于产生待发射光。用于对至少一个LED元件5进行冷却的主动冷却单元具有至少一个冷却通道7。至少一个冷却通道7在衬底表面3上布置在待发射光的至少一部分的光束路径中以用于重定向待发射光，该光束可以通过至少一个LED元件5产生。
本发明授权用于发光的发射器和方法在权利要求书中公布了：1.一种用于发光的发射器，包括 -衬底2，所述衬底具有衬底表面3， -至少一个LED元件5，所述至少一个LED元件布置在所述衬底表面3上以用于产生待发射光，以及 -主动冷却单元6，所述主动冷却单元用于利用至少一个冷却通道7；7a；7b对所述至少一个LED元件5进行冷却，所述至少一个冷却通道7；7a；7b中含有冷却剂8， 其中，所述至少一个冷却通道7；7a；7b布置在所述待发射光的至少一部分的光束路径S4；S5；S6上以用于重定向所述待发射光，所述待发射光能够通过所述至少一个LED元件5产生， 其中，所述待发射光发生重定向而不会改变所述待发射光的频率， 其中，所述至少一个LED元件5和所述至少一个冷却通道7；7a；7b嵌入在透明封装12中， 其中，所述透明封装12的折射率nE大于所述至少一个冷却通道7；7a；7b的折射率nK， 其中，所述至少一个冷却通道7；7a；7b的冷却通道边界表面14；14a；14b的面对所述至少一个LED元件5的区域的表面切线17；17a；17b相对于所述衬底表面3成角度d，其中适用以下公式： d≤90°-sin-1nKE。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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