微软技术许可有限责任公司D·I·皮库林获国家专利权
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龙图腾网获悉微软技术许可有限责任公司申请的专利半导体-超导体异质结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114375504B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080063813.9，技术领域涉及：H10N60/12；该发明授权半导体-超导体异质结构是由D·I·皮库林;G·C·加德纳;R·L·卡拉赫;G·W·温克勒;S·V·格罗尼恩;P·克罗格斯拉普·杰普森;M·J·曼弗拉;A·安提波夫;R·M·卢钦设计研发完成，并于2020-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体-超导体异质结构在说明书摘要公布了：一种器件3，包括：半导体的部分4；超导体的部分6，其被布置为使得具有拓扑间隙的拓扑相能够通过邻近效应而在半导体的区域中被诱发；以及非磁性材料的部分5，包括原子序数Z大于或等于26的元素，其被布置为增加半导体的拓扑区域中的拓扑间隙。
本发明授权半导体-超导体异质结构在权利要求书中公布了：1.一种器件，包括： 半导体的部分； 超导体的部分，所述超导体的部分被形成在所述半导体的部分上方，以使得具有拓扑间隙的拓扑相能够通过邻近效应而在所述半导体的部分中被诱发；以及 非磁性材料的部分，包括具有原子序数Z大于或等于26的元素，所述非磁性材料的部分被形成在所述半导体的部分上、在所述半导体的部分与所述超导体的部分之间、或在所述超导体的部分的两层之间，以增加所述半导体的部分中的所述拓扑间隙，所述非磁性材料的部分具有小于或等于两个单分子层的厚度，所述非磁性材料的部分和所述半导体的部分与所述超导体的部分之间的交界面之间的距离小于或等于所述超导体的部分的相干长度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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