弗萨姆材料美国有限责任公司R·N·弗蒂斯获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉弗萨姆材料美国有限责任公司申请的专利硅化合物和使用其沉积膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114424324B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080064624.3，技术领域涉及：H01L21/312；该发明授权硅化合物和使用其沉积膜的方法是由R·N·弗蒂斯;S·K·拉贾拉曼;W·R·恩特雷;J·L·A·阿赫特伊勒;R·G·里德格韦设计研发完成，并于2020-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅化合物和使用其沉积膜的方法在说明书摘要公布了：一种用于制备介电膜的化学气相沉积方法，该方法包括：将衬底提供到反应室中；将气态试剂引入反应室中，其中气态试剂包含硅前体，该硅前体包含具有如本文所定义的式RnH4‑nSi的硅化合物，并向反应室中的气态试剂施加能量以诱导气态试剂反应而在衬底上沉积膜。所沉积的膜适合于其预期用途，而无需对如此沉积的膜施加可选的另外的固化步骤。
本发明授权硅化合物和使用其沉积膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制备介电膜的化学气相沉积方法，所述方法包括： 在反应室中提供衬底； 将不含致孔剂前体的气态试剂引入所述反应室中，其中所述气态试剂包含： 包含RnH4-nSi的硅前体，其中每一个R独立地选自直链、支链或环状C2至C10烷基且n为2-3，和 至少一种氧源；且 向所述反应室中的所述气态试剂施加能量以诱导所述气态试剂的反应，并由此将所述膜沉积在所述衬底上，其中所述膜是有机硅玻璃膜，其包含组成SivOwCxHyFz，其中v+w+x+y+z=100%，v为10至35原子%，w为10至65原子%，x为5至40原子%，y为10至50原子%，z为0至15原子%，且介电常数范围介于2.5和3.3之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人弗萨姆材料美国有限责任公司，其通讯地址为：美国亚利桑那州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励