南亚科技股份有限公司施信益获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利具有瓶形硅穿孔的半导体元件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111010904.9，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权具有瓶形硅穿孔的半导体元件结构及其制备方法是由施信益;黄则尧设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有瓶形硅穿孔的半导体元件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括：一硅层，设置在一第一半导体晶粒上；以及一第一遮罩层，设置在该硅层上。该半导体元件结构亦包括一第二半导体晶粒，设置在该第一遮罩层上；以及一硅穿孔，穿经该硅层与该第一遮罩层。该硅穿孔的一下表面大于该硅穿孔的一上表面，以及该硅穿孔的该上表面大于该硅穿孔的一剖面，该剖面位于该硅穿孔的该下表面与该上表面之间，且该剖面平行于该硅穿孔的该下表面与该上表面。
本发明授权具有瓶形硅穿孔的半导体元件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件结构，包括： 一硅层，设置在一第一半导体晶粒上； 一第一遮罩层，设置在该硅层上； 一第二半导体晶粒，设置在该第一遮罩层上；以及 一硅穿孔，穿经该硅层与该第一遮罩层，其中，该硅穿孔的一下表面大于该硅穿孔的一上表面，以及该硅穿孔的该上表面大于该硅穿孔的一剖面，该剖面位于该硅穿孔的该下表面与该上表面之间，且该剖面平行于该硅穿孔的该下表面与该上表面， 其中该硅穿孔直接接触在该第一半导体晶粒中的一第一导电垫以及在该第二半导体晶粒中的一第二导电垫。
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