南亚科技股份有限公司黄登烟获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利具有含锰导电栓塞的半导体元件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613744B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111054684.X，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权具有含锰导电栓塞的半导体元件结构及其制备方法是由黄登烟设计研发完成，并于2021-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有含锰导电栓塞的半导体元件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种具有含锰导电栓塞的半导体元件结构及该半导体元件结构的制备方法。该半导体元件结构具有一第一导电层以及一介电层，该第一导电层设置在一半导体基底上，该介电层设置在该第一导电层上。该半导体元件结构亦具有一第一导电栓塞以及一衬垫层，该第一导电栓塞穿经该介电层并位于一图案密集区中，该衬垫层覆盖该介电层与该第一导电栓塞。该衬垫层与该第一导电栓塞包含锰。该半导体元件结构还具有一第二导电栓塞，穿经该衬垫层与该介电层，并位于一图案稀疏区中。该第二导电栓塞通过该衬垫层的一部分而与该介电层分隔开。此外，该半导体元件结构具有一第二导电层，覆盖该衬垫层与该第二导电栓塞。
本发明授权具有含锰导电栓塞的半导体元件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件结构，包括： 一第一导电层，设置在一半导体基底上； 一介电层，设置在该第一导电层上； 一第一导电栓塞，穿经该介电层并位于一图案密集区中； 一衬垫层，覆盖该介电层与该第一导电层，其中，该衬垫层与该第一导电栓塞包含锰； 一第二导电栓塞，穿经该衬垫层与该介电层，并位于一图案稀疏区中，其中，该第二导电栓塞通过该衬垫层的一部分而与该介电层分隔开；以及 一第二导电层，覆盖该衬垫层与该第二导电栓塞。
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