中国科学院微电子研究所赵泓达获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种二次谐波表征半导体材料的方法及测量平台获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114646617B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011515772.0，技术领域涉及：G01N21/63；该发明授权一种二次谐波表征半导体材料的方法及测量平台是由赵泓达;李博;王磊;王然;张紫辰;张昆鹏;罗家俊;滕瑞设计研发完成，并于2020-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二次谐波表征半导体材料的方法及测量平台在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二次谐波表征半导体材料的方法及测量平台，方法包括：将初始光束分束为计量光束和工作光束；采用所述工作光束照射所述半导体材料获得表征所述半导体材料的二次谐波信号；采用监测所述计量光束获得的波动数据，修正所述二次谐波信号，以修正后的所述二次谐波信号作为所述半导体材料的表征信号。本发明提供的方法及测量平台用以解决现有激光器输出光束的功率产生波动，影响SHG信号的稳定性，进而影响后续半导体材料的缺陷参数提取的精确性的技术问题。实现了提高SHG信号的稳定性的技术效果。
本发明授权一种二次谐波表征半导体材料的方法及测量平台在权利要求书中公布了：1.一种二次谐波表征半导体材料的方法，其特征在于，包括： 将初始光束分束为计量光束和工作光束，所述工作光束与所述计量光束的功率波动比例相同； 采用所述工作光束照射所述半导体材料获得表征所述半导体材料的二次谐波信号； 采用监测所述计量光束获得的波动数据，修正所述二次谐波信号，以修正后的所述二次谐波信号作为所述半导体材料的表征信号； 所述波动数据包括功率波动数据，所述功率波动数据用于表征实时功率的波动性。
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