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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种用于集成电路的可控硅静电防护器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695345B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210313795.6，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种用于集成电路的可控硅静电防护器件是由董树荣;俞方俊;朱信宇;邓非凡;陈奕鹏设计研发完成，并于2022-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于集成电路的可控硅静电防护器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于集成电路的可控硅静电防护器件，包括衬底以及设于衬底上的器件区，器件区包括相邻设置的N阱和P阱，N阱内设有第一N+注入区、第一P+注入区和第二P+注入区，P阱内设有第二N+注入区、第三N+注入区和第三P+注入区，器件区外还设有第一多晶硅和第二多晶硅，第一多晶硅与第一P+注入区、N阱、第二P+注入区构成PMOS管；第二多晶硅与第二N+注入区、P阱、第三N+注入区构成NMOS管；第一P+注入区、第一多晶硅、第二N+注入区通过金属导线相连并接入电学阳极；第二P+注入区、第二多晶硅、第三N+注入区通过金属导线相连并接入电学阴极；第一N+注入区与第三P+注入区通过金属导线相连。

本发明授权一种用于集成电路的可控硅静电防护器件在权利要求书中公布了：1.一种用于集成电路的可控硅静电防护器件，包括衬底以及设于衬底上的器件区，其特征在于，所述器件区包括相邻设置的N阱和P阱， 所述N阱内设有第一N+注入区、第一P+注入区和第二P+注入区， 所述P阱内设有第二N+注入区、第三N+注入区和第三P+注入区， 所述器件区外还设有第一多晶硅和第二多晶硅，所述第一多晶硅与第一P+注入区、N阱以及第二P+注入区构成PMOS管；所述第二多晶硅与第二N+注入区、P阱以及第三N+注入区构成NMOS管； 所述第一P+注入区、第一多晶硅、第二N+注入区通过金属导线相连并接入电学阳极；所述第二P+注入区、第二多晶硅、第三N+注入区通过金属导线相连并接入电学阴极；所述第一N+注入区与第三P+注入区通过金属导线相连； 当发生静电放电时，由第一P+注入区、N阱、第一N+注入区、第三P+注入区、P阱以及第三N+注入区构成的二极管串首先导通，电流由第一P+注入区流入N阱，再由N阱流入第一N+注入区，再经由金属导线，电流从第一N+注入区流至第三P+注入区，再由第三P+注入区流入P阱，最后由P阱流入第三N+注入区；随着静电防护器件内部静电放电的电流逐渐增大，N阱和第二P+注入区以及第二N+注入区和P阱之间发生雪崩击穿，由第一P+注入区、N阱、第二P+注入区组成的PMOS路径和由第二N+注入区、P阱、第三N+注入区组成的NMOS路径开启；随着静电防护器件内部电流的进一步增大，N阱和P阱之间发生雪崩击穿，由第一P+注入区、N阱、P阱、第三N+注入区形成的PNPN可控硅放电路径开启，泄放大部分电流； 内嵌二极管串和MOS管的结构提供的初期导通电流促进了N阱和P阱之间的雪崩击穿，降低了静电防护器件的触发电压，且可控硅放电路径较长，提高了静电防护器件的维持电压。

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