青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司梁兆龙获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司申请的专利硅片的湿法蚀刻方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114724948B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210325636.8，技术领域涉及：H01L21/3213；该发明授权硅片的湿法蚀刻方法和装置是由梁兆龙;王国峰设计研发完成，并于2022-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅片的湿法蚀刻方法和装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种硅片的湿法蚀刻方法和装置，步骤包括，将表面形成有金属膜层的硅片浸入金属蚀刻液中；等待反应预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液；重复将反应后的硅片浸入金属蚀刻液中，并等待反应预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液，直至硅片表面的金属膜层蚀刻完成。通过上述步骤，将硅片反复的上下抛动，保证了每个硅片的速度是相同的，相对于旋转硅片，不会出现靠近旋转中心的硅片的速度小，而远离旋转中心的硅片的速度大，保证硅片蚀刻均匀性，也避免硅片因为速度过大而破损，且把硅片提离液位的方式，将硅片表面残留的生成物带走，避免生成物附着在硅片的表面，阻止蚀刻反应的进行，提高反应效率。
本发明授权硅片的湿法蚀刻方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种硅片的湿法蚀刻方法，其特征在于，步骤包括： 将表面形成有金属膜层的硅片浸入金属蚀刻液中； 等待反应第一预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液，并将反应后的硅片静置0.2-0.5s； 重复将反应后的硅片浸入金属蚀刻液中，并等待反应第一预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液，并静置第二预设时间，第二预设时间为0.2-0.5s的步骤，直至硅片表面的金属膜层蚀刻完成； 其中，随着重复的次数增加第二预设时间逐渐减少；在将表面形成有金属膜层的硅片浸入金属蚀刻液中，金属蚀刻液就开始搅动，流动的金属蚀刻液可以带走部分附着在硅片表面的副产物；在反应后的硅片的表面喷淋金属蚀刻液。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司，其通讯地址为：266200 山东省青岛市即墨区北安街道办事处太吉路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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