湖北大学;湖北江城实验室王浩获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北大学;湖北江城实验室申请的专利一种鳍式浮栅存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743975B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210333550.X，技术领域涉及：H10B41/00；该发明授权一种鳍式浮栅存储器件是由王浩;钱烽;何哲;马国坤设计研发完成，并于2022-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种鳍式浮栅存储器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种鳍式浮栅存储器件，包括：衬底；隔离层，其位于衬底一侧面；鳍片，其位于隔离层远离衬底一侧面；隧穿介质层，其包覆于鳍片外周；浮栅，其包覆于隧穿介质层外周；栅氧化层，其包覆于浮栅外周；控制栅，其包覆于栅氧化层外周；其中，隧穿介质层的顶部厚度与侧壁的厚度比值为2～3:1。本发明的鳍式浮栅存储器件，针对鳍式结构在工作过程中载流子浓度不均的问题，将隧穿介质层的顶部厚度与侧壁的厚度比值设置为2～3:1，即本发明采用相对于顶部隧穿层更薄的侧边隧穿层，通过该结构使得鳍片Fin中的电子和空穴更容易通过注入和隧穿穿过介质层到达浮栅。
本发明授权一种鳍式浮栅存储器件在权利要求书中公布了：1.一种鳍式浮栅存储器件，其特征在于，包括： 衬底； 隔离层，其位于所述衬底一侧面； 鳍片，其位于所述隔离层远离所述衬底一侧面； 隧穿介质层，其包覆于所述鳍片外周； 浮栅，其包覆于所述隧穿介质层外周； 栅氧化层，其包覆于所述浮栅外周； 控制栅，其包覆于所述栅氧化层外周； 其中，所述隧穿介质层的顶部厚度与侧壁的厚度比值为2:1。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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