长江存储科技有限责任公司胡帅获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利对准标记结构、掩膜板和半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114755897B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210266509.5，技术领域涉及：G03F9/00；该发明授权对准标记结构、掩膜板和半导体结构是由胡帅;张鹏真;徐陈林;彭熙锦;王梦婷;崔佳森设计研发完成，并于2022-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本对准标记结构、掩膜板和半导体结构在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种用于光刻设备的对准标记结构、掩膜板以及半导体结构。所述对准标记结构包括多个主标记，用于实现光刻工艺中的对准；所述多个主标记中的每个主标记包括相互平行且间隔设置的多个对准栅条；以及虚设标记，用于匹配所述光刻设备的尺寸需求；所述虚设标记包括呈阵列间隔排布的多个点状结构。
本发明授权对准标记结构、掩膜板和半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种用于光刻设备的对准标记结构，其特征在于，包括： 多个主标记，用于实现光刻工艺中的对准；所述多个主标记中的每个主标记包括相互平行且间隔设置的多个对准栅条；以及 虚设标记，用于匹配所述光刻设备的尺寸需求；所述虚设标记包括呈阵列间隔排布的多个点状结构； 所述多个主标记包括并列设置的第一主标记、第二主标记和第三主标记；所述第三主标记和所述虚设标记位于所述第一主标记和第二主标记之间；所述第一主标记和第二主标记对应的对准栅条的宽度大于所述第三主标记对应的对准栅条的宽度；且所述第一主标记对应的对准栅条的间隔，与所述第二主标记对应的对准栅条的间隔不同。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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