富士高分子工业株式会社;硫磺化学研究所奥村智之获国家专利权
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龙图腾网获悉富士高分子工业株式会社;硫磺化学研究所申请的专利导热性有机硅组合物、使用了其的片材及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114829501B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180005675.3，技术领域涉及：C08L83/07；该发明授权导热性有机硅组合物、使用了其的片材及其制造方法是由奥村智之;川滨佳祐;森邦夫设计研发完成，并于2021-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本导热性有机硅组合物、使用了其的片材及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明的组合物包含下述A‑C，A：直链状两末端反应性聚二甲基硅氧烷。B：包含下述B1和B2和B3的导热性填料，相对于上述A成分100质量份为800‑2500质量份。B1：平均粒径为0.1‑1.0μm、且用具有不含不饱和键的反应基的表面处理剂进行表面处理而得到的导热性填料。B2：平均粒径为1.0‑10μm、且用具有含有不饱和键的反应基的表面处理剂进行表面处理而得到的导热性填料。B3：平均粒径为10‑100μm、且用具有上述不含不饱和键的反应基或上述含有不饱和键的反应基的表面处理剂进行表面处理而得到的导热性填料。C：固化催化剂：催化量。由此，提供高强度的导热性有机硅组合物及使用了其的片材。
本发明授权导热性有机硅组合物、使用了其的片材及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种导热性有机硅组合物，其包含下述A～C， A在分子链的两末端各具有1个反应基的直链状有机聚硅氧烷， B包含下述B-1、B-2和B-3的导热性填料，相对于所述A成分100质量份为800～2500质量份， B-1平均粒径为0.1μm以上且低于1.0μm、且用具有不含不饱和键的反应基的硅烷偶联剂进行表面处理而得到的导热性填料， B-2平均粒径为1.0μm以上且低于10μm、且用具有含有不饱和键的反应基的硅烷偶联剂进行表面处理而得到的导热性填料， B-3平均粒径为10μm以上且100μm以下、且用选自具有所述不含不饱和键的反应基或所述含有不饱和键的反应基的硅烷偶联剂中的至少一种进行表面处理而得到的导热性填料， C固化催化剂：催化量。
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