上海华力集成电路制造有限公司陈彩云获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种改善金属浮栅连续性的工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020229B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210597547.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种改善金属浮栅连续性的工艺方法是由陈彩云;顾珍;张磊;王鹏;陈昊瑜设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善金属浮栅连续性的工艺方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善金属浮栅连续性的工艺方法，提供半导体结构，半导体结构包括衬底，位于衬底上的控制栅；在控制栅的侧壁生长浮栅隧穿氧化层；对浮栅隧穿氧化层进行SPA掺氮处理，形成掺氮膜层；在掺氮膜层侧壁淀积TiN。本发明在进行金属栅TIN沉积前，先对其先前的隧穿氧化层界面进行SPA掺氮处理，然后进行TIN沉积，以防止出现TIN的不连续的现象。
本发明授权一种改善金属浮栅连续性的工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种改善金属浮栅连续性的工艺方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底，位于所述衬底上的控制栅； 步骤二、在所述控制栅的侧壁生长浮栅隧穿氧化层； 步骤三、对所述浮栅隧穿氧化层进行SPA掺氮处理，形成掺氮膜层； 步骤四、在所述掺氮膜层侧壁淀积TiN。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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