西安电子科技大学许晟瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利在单晶金刚石衬底上进行成核层优化的AlN/GaN异质结制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036361B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210609488.2，技术领域涉及：H10D62/824；该发明授权在单晶金刚石衬底上进行成核层优化的AlN/GaN异质结制备方法是由许晟瑞;高源;徐爽;王宇轩;张涛;张金凤;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本在单晶金刚石衬底上进行成核层优化的AlN/GaN异质结制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种在单晶金刚石衬底上进行成核层优化的AlNGaN异质结制备方法，主要解决现有技术在单晶金刚石衬底上制作异质结的晶体质量低，影响器件散热能力和工作性能的问题。其自下而上包括衬底1、GaN外延层4和AlN外延层5。其中衬底采用经等离子体轰击处理后的单晶金刚石，以提升GaN外延层的成核能力。同时衬底与GaN外延层之间依次增设h‑BN层2、溅射BxAl1‑xN层3，该h‑BN层为GaN生长提供成核点，该溅射BxAl1‑xN层用于缓冲h‑BN层与GaN层的晶格差异。本发明提高了GaN外延层的晶体质量，可用于制作功率器件，提高器件散热能力和工作性能。
本发明授权在单晶金刚石衬底上进行成核层优化的AlN/GaN异质结制备方法在权利要求书中公布了：1.一种在单晶金刚石衬底上进行成核层优化的AlNGaN异质结，其自下而上包括：衬底1、GaN外延层4和AlN外延层5，其特征在于： 所述的衬底1，其采用经等离子体表面轰击处理的单晶金刚石衬底，用于提升AlNGaN异质结的散热能力，改善GaN外延层的成核能力； 所述GaN外延层4与单晶金刚石衬底1之间增设有磁控溅射BxAl1-xN层3和h-BN层2，该h-BN层用以改善外延层的成核能力，该磁控溅射BxAl1-xN层用于过渡和缓冲h-BN层与GaN外延层之间的材料差异；所述的h-BN层2，其厚度为20-70nm；所述磁控溅射BxAl1-xN层3，其厚度为20-80nm，B含量的调整范围为0.3-0.5。
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