台湾积体电路制造股份有限公司陈建诚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于半导体微影制程的光罩及其制造方法、微影方法以及光罩制程获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115061335B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110848860.0，技术领域涉及：G03F1/54；该发明授权用于半导体微影制程的光罩及其制造方法、微影方法以及光罩制程是由陈建诚;李环陵;连大成;陈嘉仁;李信昌设计研发完成，并于2021-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体微影制程的光罩及其制造方法、微影方法以及光罩制程在说明书摘要公布了：一种用于半导体微影制程的光罩及其制造方法、微影方法以及光罩制程，用于半导体微影制程的光罩包括基板、设置在基板上的光罩图案及围绕光罩图案的光吸收边界。光吸收边界自基板的至少两个边缘插入以界定光吸收边界之外的周围区域。在一些设计中，第一周围区域自光吸收边界的外周延伸至基板的第一边缘，并且第二周围区域自光吸收边界的外周延伸至基板的第二边缘，其中基板的第一边缘与基板的第二边缘位于光罩图案的相对侧。
本发明授权用于半导体微影制程的光罩及其制造方法、微影方法以及光罩制程在权利要求书中公布了：1.一种制造用于使用一微影波长的光执行的一半导体微影制程中的一光罩的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤： 提供涂覆有一光吸收层的一基板，该光吸收层吸收该微影波长的该光；以及 移除该光吸收层的多个部分，以在该基板上形成一光罩图案及一光吸收边界； 其中该光吸收边界围绕该光罩图案，该光吸收边界包含未移除的该光吸收层的一部分； 其中该移除的步骤包括以下步骤：移除该光吸收边界的两侧上的该光吸收层的所述多个部分，以界定一周围区域，该周围区域包括自该光吸收边界的一外周延伸至该基板的一第一边缘的一第一周围区域以及自该光吸收边界的该外周延伸至该基板的一第二边缘的一第二周围区域，其中该基板的该第一边缘与该基板的该第二边缘位于该光罩图案的相对两侧， 其中该光吸收边界延伸至该基板的一第三边缘以及延伸至该基板的一第四边缘，其中该基板的该第三边缘与该基板的该第四边缘位于该光罩图案的另相对两侧。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励