联华电子股份有限公司王慧琳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117230B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110291982.4，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法是由王慧琳;黃柏允;张温文;何坤展设计研发完成，并于2021-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法，其中该磁阻式随机存取存储器结构包括多个磁阻式随机存取存储器单元，一原子层沉积介电层位于该些磁阻式随机存取存储器单元的外侧以及该些磁阻式随机存取存储器单元之间，其中该磁阻式随机存取存储器单元的上电极层的材料为氮化钛，该氮化钛中的氮成分比例大于钛成分比例复又大于氧成分比例，该氮成分比例从该上电极层的顶面往内部递增直到达至一深度后开始递减至一第一水平后持平，该钛成分比例从该上电极层的顶面往内部递减至该深度后开始递增至一第二水平后持平。
本发明授权磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种磁阻式随机存取存储器结构，其特征在于，包括： 多个磁阻式随机存取存储器单元，其中每个该磁阻式随机存取存储器单元包括： 下电极层，位于基底上方； 磁隧穿结叠层，位于该下电极层上方；以及 上电极层，位于该磁隧穿结叠层上方； 原子层沉积介电层，位于该些磁阻式随机存取存储器单元的外侧以及该些磁阻式随机存取存储器单元之间； 其中该上电极层的材料为氮化钛，该氮化钛中的氮成分比例大于钛成分比例复又大于氧成分比例，该氮成分比例从该上电极层的顶面往内部递增直到达至一深度后开始递减至第一水平后持平，该钛成分比例从该上电极层的顶面往内部递减至该深度后开始递增至第二水平后持平。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人联华电子股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励