台湾积体电路制造股份有限公司张仲豪获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利使用光掩模制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115145124B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210338407.X，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权使用光掩模制造半导体器件的方法是由张仲豪;陈明威;马艾杰;陈庆跃设计研发完成，并于2022-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用光掩模制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及使用光掩模制造半导体器件的方法。在制造半导体器件的方法中，在EUV扫描仪中，对形成在半导体衬底上方的光致抗蚀剂层执行使用EUV掩模的EUV光刻操作。在EUV光刻操作之后，从EUV扫描仪的掩模台卸载EUV掩模。EUV掩模被置于低于大气压的减压下。在该减压下以100℃至350℃的范围内的第一温度加热EUV掩模。在加热之后，EUV掩模被储存在掩模储料器中。
本发明授权使用光掩模制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 在极紫外光刻EUV扫描仪中，使用EUV掩模对形成在半导体衬底上方的光致抗蚀剂层执行EUV光刻操作，在所述EUV光刻操作期间，将氢气施加到所述EUV掩模； 在所述EUV光刻操作之后，从所述EUV扫描仪的掩模台卸载所述EUV掩模； 将所述EUV掩模置于低于大气压的减压下； 在所述减压下以100℃至350℃的范围内的第一温度加热所述EUV掩模以释放所述EUV掩模内部累积的氢；以及 在所述加热之后，将所述EUV掩模储存在掩模储料器中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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