天狼芯半导体(成都)有限公司黄汇钦获国家专利权
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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种平面型功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148818B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210711362.6，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种平面型功率器件及其制备方法是由黄汇钦;吴龙江设计研发完成，并于2022-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种平面型功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了一种平面型功率器件及其制备方法，平面型功率器件包括：半导体衬底、N型阱区、P型阱区、栅极氧化层、栅极金属层、源极区、隔离区、漏极区以及反型层。N型阱区和P型阱区均位于半导体衬底上；栅极氧化层位于N型阱区和P型阱区上；栅极金属层位于栅极氧化层上；源极区与栅极氧化层接触；隔离区设于漏极区与栅极氧化层之间，反型层设于N型阱区与漏极区之间；且反型层的掺杂类型与漏极区的掺杂类型不同。本申请通过在漏极区和N型阱区之间设置反型层，如此操作可以在不增大平面型功率器件的基础上提升平面型功率器件的耐压能力，解决了现有的平面型功率器件存在体积较大，耐压性能差的问题。
本发明授权一种平面型功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种平面型功率器件，其特征在于，所述平面型功率器件包括： 半导体衬底； N型阱区和P型阱区，所述N型阱区和所述P型阱区接触，且均位于所述半导体衬底上； 栅极氧化层，位于所述N型阱区和所述P型阱区上； 栅极金属层，位于所述栅极氧化层上； 源极区，位于所述P型阱区上，且与所述栅极氧化层接触； 隔离区、漏极区和反型层，所述隔离区、所述漏极区和所述反型层设于所述N型阱区上，所述隔离区设于所述漏极区与所述栅极氧化层之间，所述反型层设于所述N型阱区与所述漏极区之间，且所述反型层与所述隔离区接触； 其中，所述反型层的掺杂类型与所述漏极区的掺杂类型不同； 所述反型层包括：第一反型区和第二反型区； 所述第一反型区和所述第二反型区分别仅设于所述N型阱区的边缘区域，且所述第一反型区和所述第二反型区互不接触。
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