国际商业机器公司A.雷兹尼切克获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利对于快速1T1m单元将MRAM整合到MOL中获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115176312B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080080821.4，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权对于快速1T1m单元将MRAM整合到MOL中是由A.雷兹尼切克;M.里佐洛;谢瑞龙设计研发完成，并于2020-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本对于快速1T1m单元将MRAM整合到MOL中在说明书摘要公布了：提供一种存储器单元，其中磁阻随机存取存储器MRAM器件的底部电极连接到晶体管的源极漏极接触结构之一，并且下接触结构连接到晶体管的源极漏极接触结构中的另一个。在本申请中，MRAM器件和下接触结构存在于中间制程MOL而不是后段制程BEOL，而且，MRAM器件的底部电极和下接触结构的下部部分存在于相同的电介质材料即，MOL电介质材料中。
本发明授权对于快速1T1m单元将MRAM整合到MOL中在权利要求书中公布了：1.一种存储器单元，包括： 前端制程FEOL层级，其包括跨越在半导体鳍之上的栅极结构，其中源极漏极结构位于所述栅极结构的每一侧上，并且源极漏极接触结构位于每个源极漏极结构上； 中间制程MOL层级，其位于所述FEOL上方并且包括磁阻随机存取存储器MRAM器件和下接触结构，其中所述MRAM器件的底部电极接触位于所述栅极结构的一侧上的所述源极漏极接触结构中的一个，所述下接触结构接触位于所述栅极结构的另一侧上的所述源极漏极接触结构中的另一个，并且所述磁阻随机存取存储器器件的所述底部电极和所述下接触结构的下部部分存在于相同的电介质材料中；以及 后段制程BEOL层级，其位于所述MOL层级上方并且包括接触所述下接触结构的表面的第一上接触结构以及接触所述MRAM器件的顶部电极的表面的第二上接触结构。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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