联华电子股份有限公司林宗翰获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206802B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110388841.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法是由林宗翰;叶宜函设计研发完成，并于2021-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法，其中该制作横向扩散金属氧化物半导体元件的方法为，首先形成第一鳍状结构与第二鳍状结构于基底上，然后形成一浅沟隔离于第一鳍状结构与第二鳍状结构之间，形成第一栅极结构于该第一鳍状结构以及第二栅极结构于第二鳍状结构上，形成一源极区域于第一栅极结构一侧的第一鳍状结构上，形成一漏极区域于第二栅极结构一侧的第二鳍状结构上，再形成一接触场极板于浅沟隔离正上方。
本发明授权横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种制作横向扩散金属氧化物半导体元件的方法，其特征在于，包含： 形成第一鳍状结构于基底上； 形成浅沟隔离于该第一鳍状结构旁； 形成第一栅极结构于该第一鳍状结构上；以及 形成接触场极板于该第一栅极结构旁的该浅沟隔离正上方，其中该浅沟隔离具有直接接触该接触场极板的底表面的第一顶表面以及位于该第一顶表面周围的第二顶表面，该第一顶表面与该第二顶表面齐平且低于该基底的顶表面； 形成层间介电层环绕该第一栅极结构，其中该层间介电层的一部分位于该接触场极板与该第一栅极结构之间，且该层间介电层的该部分的底表面低于该基底的该顶表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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