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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种针对病毒大分子检测的表面增强拉曼散射基底的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115219477B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210860271.9，技术领域涉及：G01N21/65；该发明授权一种针对病毒大分子检测的表面增强拉曼散射基底的制造方法是由杨欢;韩一平;赵文娟;汪加洁;崔志伟设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种针对病毒大分子检测的表面增强拉曼散射基底的制造方法在说明书摘要公布了：一种针对病毒大分子检测的表面增强拉曼散射基底的制造方法，以介电纳米粒子单层密排阵列为模板制造内表面具有均匀贵金属纳米粒子的高折射率球形开口空腔阵列，利用贵金属粒子的表面等离子体共振和高折射率球形空腔的高阶磁共振的耦合作用在空腔内表面形成均匀的电场增强热区；病毒分子进入吸附有贵金属粒子的高折射率球形空腔内部后，病毒分子表面与高折射率球形空腔内表面吸附的贵金属粒子直接大面积接触，即病毒分子与贵金属粒子与球形空腔内表面的耦合增强电场热区重合，极大提高病毒分子的拉曼信号强度，实现病毒分子的高灵敏度检测。

本发明授权一种针对病毒大分子检测的表面增强拉曼散射基底的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种针对病毒大分子检测的表面增强拉曼散射基底的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在基材表面制备一层光刻胶； 2将光刻胶层图形化，形成区域化纳米粒子阵列结构的模板； 3在光刻胶层上制造紧密排列的单层介电纳米粒子； 步骤3中介电纳米粒子为二氧化硅、聚苯乙烯、氧化铝粒子；介电纳米粒子形状为球形或者椭球形；介电纳米粒子的直径为100-400nm；光刻胶图形内的介电纳米粒子阵列为旋涂法、单层膜转移法、提拉法或者Langmuir-Blodgett膜法制造； 4利用反应离子刻蚀方法使介电纳米粒子的直径均匀减小，调控纳米粒子的间距； 步骤4刻蚀方法加工后，相邻粒子间距为40-200nm； 5光源直接照射介电纳米粒子层，透过粒子层将光刻胶部分曝光； 6在介电纳米粒子单层阵列表面制备高折射率介电或半导体薄膜形成内核为介电粒子外壳为高折射率材料的核壳粒子阵列； 步骤6中高折射率薄膜材料为硅、碳化硅、二氧化钛或者氮化硅，利用磁控溅射方法制造，高折射率薄膜厚度为40-100nm； 7利用光刻胶显影液去除已曝光光刻胶层以及其上表面的纳米粒子； 8在剩余光刻胶和介电粒子上表面制造一层支撑层； 9光源从基材底侧照射光刻胶，使其与基底直接接触的光刻胶层部分曝光， 10用显隐液将已曝光的光刻胶层去除，将核壳粒子阵列与基材分离，使制备有高折射率薄膜的核壳粒子阵列翻转至支撑层，使得与步骤2中与基材直接接触的核壳粒子阵列为整个结构的上表面； 11利用反应离子刻蚀的方法对包覆在介电纳米粒子表面的高折射率薄膜进行部分去除，暴露出内部的介电纳米粒子；暴露出的内部介电纳米粒子的高度为其直径的四分之一至二分之一，去除内部的介电球形粒子，形成高折射率材料球形空腔阵列； 12在球形空腔内径表面制造均匀的贵金属粒子，完成内表面均匀分布贵金属粒子的高折射率球形空腔粒子阵列的制造； 步骤12中利用静电吸引的方法将贵金属粒子均匀分布在球形空腔内表面，首先贵金属粒子的材料为金或者银，利用柠檬酸钠直接还原氯金酸或者硝酸银制备，得到金或者银粒子的等效直径为15-30nm，其表面带负电；将高折射率球形空腔阵列悬置于装有50-200ml的3-氨丙基三甲氧基硅烷APTMS的密闭容器内，以60-80℃持续加热50-80分钟后冲洗完成氨基的修饰；将高折射率球形空腔阵列样品浸没于金或者银纳米粒子胶体中室温静置6-10小时后冲洗得到内表面均匀分布金或者银纳米粒子的高折射率球形空腔阵列。

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