TDK株式会社佐佐木智生获国家专利权
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龙图腾网获悉TDK株式会社申请的专利铁磁性多层膜、磁阻效应元件以及制造铁磁性多层膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223771B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210925985.3，技术领域涉及：H01F10/30；该发明授权铁磁性多层膜、磁阻效应元件以及制造铁磁性多层膜的方法是由佐佐木智生;田中美知设计研发完成，并于2018-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本铁磁性多层膜、磁阻效应元件以及制造铁磁性多层膜的方法在说明书摘要公布了：本发明的铁磁性多层膜具备：第一磁化固定层、第一中间层、第二中间层、磁耦合层以及第二磁化固定层。第一磁化固定层和第二磁化固定层通过经由第一中间层、第二中间层以及磁耦合层的交换耦合而反铁磁性耦合；磁耦合层的主元素为Ru、Rh或Ir，第一中间层的主元素与磁耦合层的主元素相同，第二中间层的主元素与磁耦合层的主元素不同，第一中间层的厚度为第一中间层的主元素的原子半径的1.5倍以上且3.2倍以下，并且第二中间层的厚度为第二中间层的主元素的原子半径的1.5倍以下。
本发明授权铁磁性多层膜、磁阻效应元件以及制造铁磁性多层膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种铁磁性多层膜，其特征在于， 具备： 第一铁磁性层、 层叠于所述第一铁磁性层上的第一中间层、 层叠于所述第一中间层上的第二中间层、 层叠于所述第二中间层上的磁耦合层、以及 层叠于所述磁耦合层上的第二铁磁性层， 所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层通过经由所述第一中间层、所述第二中间层、以及所述磁耦合层的交换耦合，以所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层的磁化方向相互反向平行的方式进行磁耦合； 所述磁耦合层的主元素为Ru、Rh或Ir， 所述第一中间层的主元素与所述磁耦合层的主元素相同， 所述第二中间层的主元素与所述磁耦合层的主元素不同， 在从所述第一铁磁性层到所述第二铁磁性层的区域的能量色散型X射线分析中，所述第一中间层及所述磁耦合层的所述主元素的强度曲线在所述第一铁磁性层和所述磁耦合层之间具有尾部和肩部，并且在所述第一铁磁性层和所述磁耦合层之间始终对应于实质上有限的强度， 所述第二中间层的厚度为所述第二中间层的主元素的原子半径的1.5倍以下。
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