武汉华星光电技术有限公司龚帆获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板及制作方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241211B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210887331.6，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及制作方法、显示面板是由龚帆;艾飞;宋继越;宋德伟设计研发完成，并于2022-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及制作方法、显示面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种阵列基板及制作方法、显示面板；阵列基板包括第一有源层、第一源漏极层和第一阻挡构件，第一有源层包括相连接的感光部和第一有源部，第一有源部位于所述感光部至少一侧，第一阻挡构件的一端延伸至第一源漏极层，第一阻挡构件的相对另一端至少延伸至第一有源部；本申请通过将感光部设置在第一阻挡构件所围成的区域内，阻挡面内经反射或侧面入射等非目标光线进入感光部，减少非目标光线对感光部的影响，提高了感光二极管对目标光线的测量准确度。
本发明授权阵列基板及制作方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 第一有源层，包括感光部和位于所述感光部至少一侧的第一有源部，所述感光部与所述第一有源部连接； 第一源漏极层，设置于所述第一有源层上；以及 第一阻挡构件，所述第一阻挡构件的一端延伸至所述第一源漏极层，所述第一阻挡构件的相对另一端至少延伸至所述第一有源部； 其中，在所述阵列基板的俯视图方向上，所述感光部位于所述第一阻挡构件所围成的区域内； 所述第一源漏极层还包括第一电极，所述第一电极与所述第一有源部电连接； 所述阵列基板还包括： 第一公共电极层，设置于所述第一源漏极层上，所述第一公共电极层包括多个第一公共电极，所述第一公共电极和所述第一源漏极层中的所述第一电极电连接； 第二公共电极层，设置于所述第一公共电极层上，所述第二公共电极层包括多个第二公共电极，所述第二公共电极和所述感光部电连接； 所述第一公共电极与所述第二公共电极形成存储电容。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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