苏州华太电子技术股份有限公司彭虎获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州华太电子技术股份有限公司申请的专利SOI晶圆及SOI晶圆中TSV的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274548B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111008265.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权SOI晶圆及SOI晶圆中TSV的制作方法是由彭虎;黄安东设计研发完成，并于2021-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本SOI晶圆及SOI晶圆中TSV的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SOI晶圆及SOI晶圆中TSV的制作方法。所述制作方法包括：提供外延结构，所述外延结构包括依次叠设的衬底、绝缘层和外延层，在所述外延层表面的第一区域加工形成第一孔洞；在所述第一孔洞内设置与绝缘层材质相同的绝缘填充层；在所述第一区域内的第二区域加工形成第三孔洞；在所述第三孔洞的侧壁依次形成氧化层和扩散阻挡层；在所述第三孔洞内填充导电材料，除去部分所述衬底，以暴露所述导电材料，从而形成TSV通孔。本发明实施例提供的SOI晶圆的TSV制作方法，工艺简单，可兼容现有的硅制造工艺，能够非常方便的制造高质量的TSV通孔。
本发明授权SOI晶圆及SOI晶圆中TSV的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种SOI晶圆中TSV的制作方法，其特征在于包括： 1提供外延结构，所述外延结构包括依次叠设的衬底、绝缘层和外延层，其中，所述衬底和外延层的材质与所述绝缘层的材质不同； 2在所述外延层表面的第一区域加工形成第一孔洞，并使所述绝缘层自所述第一孔洞内露出； 3在所述第一孔洞内设置与绝缘层材质相同的绝缘填充层，所述绝缘填充层的顶部表面位于所述第一孔洞内，或者，所述绝缘填充层的顶部表面与外延层的表面齐平或高于外延层表面； 4在所述第一区域内的第二区域加工形成第三孔洞，并使第三孔洞沿厚度方向贯穿所述绝缘填充层、绝缘层并延伸至所述衬底内，其中，所述外延层与所述第三孔洞之间余留有所述的绝缘填充层； 5在所述第三孔洞的侧壁依次形成氧化层和扩散阻挡层； 6在所述第三孔洞内填充导电材料，除去部分所述衬底，以暴露所述导电材料，从而形成TSV通孔。
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