上海华力集成电路制造有限公司王英磊获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利提高光学邻近修正线端收敛的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115373210B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211005669.0，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权提高光学邻近修正线端收敛的方法是由王英磊;曾鼎程设计研发完成，并于2022-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高光学邻近修正线端收敛的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种提高光学邻近修正线端收敛的方法，提供目标图形，在目标图形的轮廓边缘形成待修正图形，根据待修正图形得到第一曝光后轮廓，第一曝光后轮廓与目标图形间具有第一边缘放置误差；根据第一边缘放置误差分别设定每个线段的第一负反馈系数和第一反馈值；在光学邻近修正程序中导入第一反馈系数和第一反馈值，利用第一反馈系数和第一反馈值移动对应的线段，得到第二修正图形，使得第二修正图形的第二边缘防置误差小于设置阈值；利用光学邻近修正程序迭代第二修正图形。本发明通过提前对待修正的离子注入版图线端修正的第一步设定反馈值，使得第一步的修正中，避免了线段的移动距离过大，使得最终修正图形的线端轮廓尽可能的符合目标。
本发明授权提高光学邻近修正线端收敛的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高光学邻近修正线端收敛的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供目标图形，在所述目标图形的轮廓边缘形成多个依次连接的线段组成的待修正图形，根据所述待修正图形得到第一曝光后轮廓，所述第一曝光后轮廓与所述目标图形间具有第一边缘放置误差X1，每个所述线段的长度均相等，每个所述线段的长度均为100纳米； 步骤二、根据所述第一边缘放置误差X1分别设定每个所述线段的第一负反馈系数K1和第一反馈值A1； 步骤三、在光学邻近修正程序中导入所述第一负反馈系数K1和所述第一反馈值A1，利用所述第一负反馈系数K1和所述第一反馈值A1移动对应的所述线段，得到第二修正图形，其中，每个所述线段移动的距离Y1＝A1+K1*X1，使得所述第二修正图形的第二边缘防置误差小于设置阈值； 步骤四、利用所述光学邻近修正程序迭代所述第二修正图形。
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