联华电子股份有限公司林承毅获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利非挥发性存储器元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377141B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110532868.6，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权非挥发性存储器元件及其制造方法是由林承毅;翁堂钧;许家彰;陈永珅;林佳弘设计研发完成，并于2021-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本非挥发性存储器元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种非挥发性存储器元件及其制造方法。所述非挥发性存储器元件包括基底、内连线结构、多个存储器单元、多个导电通孔以及多个虚设通孔。基底具有存储器区域以及虚设区域，其中虚设区域围绕存储器区域。内连线结构设置于基底上，且位于存储器区域中。所述多个存储器单元设置于内连线结构上，且自俯视方向来看以阵列方式排列，其中所述多个存储器单元包括位于存储器区域中的多个第一存储器单元以及位于虚设区域中的多个第二存储器单元。所述多个导电通孔设置于存储器区域中，且位于所述多个第一存储器单元与内连线结构之间，以分别电连接第一存储器单元中的每一个与内连线结构。所述多个虚设通孔设置于虚设区域中，且围绕存储器区域。
本发明授权非挥发性存储器元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种非挥发性存储器元件，包括： 基底，具有存储器区域以及虚设区域，其中所述虚设区域围绕所述存储器区域； 内连线结构，设置于所述基底上，且位于所述存储器区域中； 多个存储器单元，设置于所述内连线结构上，且自俯视方向来看以阵列方式排列，其中所述多个存储器单元包括位于所述存储器区域中的多个第一存储器单元以及位于所述虚设区域中的多个第二存储器单元； 多个导电通孔，设置于所述存储器区域中，且位于所述多个第一存储器单元与所述内连线结构之间，以分别电连接所述第一存储器单元中的每一个与所述内连线结构；以及 多个虚设通孔，设置于所述虚设区域中，且围绕所述存储器区域， 其中所述虚设通孔的孔径小于与所述导电通孔的孔径。
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