TCL科技集团股份有限公司敖资通获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利量子点发光二极管、其制备方法及显示器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115440900B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110613446.1,技术领域涉及:H10K50/115;该发明授权量子点发光二极管、其制备方法及显示器件是由敖资通;严怡然;杨帆;莫新娣;洪佳婷;张建新设计研发完成,并于2021-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本量子点发光二极管、其制备方法及显示器件在说明书摘要公布了:本申请中通过在惰性气氛下,将第一半成品置于含有有机酸蒸汽的环境中静置第一预设时间,通过控制环境中的温度、压力、反应时间、有机酸的种类以及浓度,从而控制有机酸分子修饰电子传输层上金属氧化物表面配体的速度,从而可控性地减少电子传输层上缺陷的浓度,有利于可控性地提升载流子迁移率。同时,还可进一步控制有机酸分子扩散至电子传输层与量子点发光层的界面处的速度和浓度,通过控制有机酸分子在电子传输层与量子点发光层的界面处发生原位反应的反应速度,从而实现可控地对电子传输层与量子点发光层的界面处进行修饰,从而在界面处形成能够有效抑制激子猝灭的稳定结构,进一步提高量子点发光二极管的稳定性。
本发明授权量子点发光二极管、其制备方法及显示器件在权利要求书中公布了:1.一种量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤: 提供第一半成品,所述第一半成品包括阳极基板、量子点发光层、以及第一电子传输层,所述量子点发光层设置在所述阳极基板与所述第一电子传输层之间; 在惰性气氛下,将所述第一半成品置于含有有机酸蒸汽的环境中静置第一预设时间,获得第二半成品; 将所述第二半成品在80-100℃下热烘15-30min,以去除残留在所述第二半成品上的有机酸分子和水分子; 在所述第一电子传输层上形成阴极层,获得量子点发光二极管。
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