中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司杨鹏飞获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472694B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110656929.X，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由杨鹏飞设计研发完成，并于2021-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底，所述衬底上具有若干相互分立的第一鳍，所述第一鳍的材料含有锗元素；在衬底上形成隔离介质层，所述隔离介质层还位于第一鳍的部分侧壁面；在形成隔离介质层后，在暴露的第一鳍表面形成第一厚度的硅膜；采用低于预设氧化速率的第一氧化工艺氧化所述硅膜，形成第二厚度的第一氧化层，所述第二厚度小于或等于第一厚度。所述形成方法能够改善所形成的半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底上具有若干相互分立的第一鳍，所述第一鳍的材料含有锗元素； 位于衬底上的隔离介质层，所述隔离介质层还位于第一鳍的部分侧壁面； 位于暴露的第一鳍表面的第一氧化层，所述第一氧化层具有第二厚度； 其中，所述第一氧化层是通过先在第一鳍表面形成第一厚度的硅膜，并采用预设氧化速率的第一氧化工艺氧化所述硅膜形成的，所述预设氧化速率为低于采用氧气作为氧化剂的氧化工艺的氧化速率；所述第二厚度小于或等于第一厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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