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龙图腾网获悉锐立平芯微电子(广州)有限责任公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院申请的专利减少源漏极短路的方法及静态随机存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115588650B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211309440.6，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权减少源漏极短路的方法及静态随机存储器是由张城龙;叶甜春;陈少民;李彬鸿设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本减少源漏极短路的方法及静态随机存储器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种减少源漏极短路的方法及静态随机存储器，其可降低相邻晶体管源漏极之间产生桥连而短路的风险，可提高集成电路单位面积内半导体器件密度，该方法包括以下步骤：提供衬底，衬底上分布有间隔设置的第一沟槽隔离区，衬底及第一沟槽隔离区顶端沉积有自下而上依次分布的体硅层、OPL层、抗反射层、光刻胶层；对OPL层的中部刻蚀，获得刻蚀槽，将光刻胶层去除，在刻蚀槽内及抗反射层顶端沉积第一蚀刻层，在第一刻蚀层顶端沉积第二蚀刻层，将OPL层上方及刻蚀槽内部的部分第一刻蚀层、第二刻蚀层去除，获取隔离层，隔离层的宽度等于相邻两个晶体管源漏极之间的最小间距，去除隔离层两侧的OPL层，使隔离层两侧的体硅层生长出源漏极。

本发明授权减少源漏极短路的方法及静态随机存储器在权利要求书中公布了：1.一种减少源漏极短路的方法，该方法包括以下步骤：S1、提供衬底，所述衬底上分布有间隔设置的第一沟槽隔离区，所述衬底及所述第一沟槽隔离区的顶端沉积有自下而上依次分布的体硅层、OPL层、抗反射层、光刻胶层； S2、采用光刻工艺对所述OPL层的中部刻蚀，获得刻蚀槽； S3、将所述光刻胶层去除，使所述抗反射层的顶端露出； S4、在所述刻蚀槽的内表面及所述抗反射层的顶端沉积第一刻蚀层； S5、在所述第一刻蚀层的顶端沉积第二刻蚀层； S6、采用光刻工艺对所述第一刻蚀层、第二刻蚀层进行刻蚀，将所述OPL层上方的所述第一刻蚀层、第二刻蚀层去除，同时将所述刻蚀槽内部的部分第一刻蚀层、第二刻蚀层去除，获取隔离层，所述隔离层的宽度等于相邻两个晶体管源漏极之间的最小间距； S7、去除所述隔离层两侧的OPL层； S8、使所述隔离层两侧的所述体硅层生长出源漏极； 所述光刻胶层包括相邻布置的第一光刻胶层、第二光刻胶层，所述第一光刻胶层与所述第二光刻胶层之间设置有间隙，所述间隙的宽度与相邻晶体管源漏极之间的最小间距相等； 所述间隙的宽度、刻蚀槽的宽度、隔离层的宽度均相等，所述间隙的宽度、刻蚀槽的宽度、隔离层的宽度最小均为30.3nm； 所述第一刻蚀层的材质为SiN，厚度为30Å~50Å； 所述第二刻蚀层的材质为SiO2，厚度为273Å~413Å； 所述隔离层包括所述第一刻蚀层、第二刻蚀层，所述隔离层的厚度为303Å~463Å； 所述源漏极的材质为锗硅。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人锐立平芯微电子(广州)有限责任公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，其通讯地址为：510000 广东省广州市黄埔区开发大道348号建设大厦710室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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