鲁东大学朱亚丹获国家专利权
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龙图腾网获悉鲁东大学申请的专利一种氮化物薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799046B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211504945.8，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种氮化物薄膜及其制备方法是由朱亚丹;卢太平;张立春;王美山;梁豆豆;贺文伟设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化物薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明的目的在于提供一种氮化物薄膜及其制备方法，属于半导体外延工艺技术领域，所述氮化物薄膜包括位于衬底上的缓冲层、位于缓冲层上交替沉积的重掺杂氮化物层与非故意掺杂氮化物层，重掺杂氮化物层具有粗糙表面结构，非故意掺杂氮化物层具有平坦表面结构。本发明的重掺杂氮化物层的粗糙结构能够引起位错的弯曲和终止，减少后续生长的外延膜中的位错密度，粗糙的重掺杂氮化物层也有利于应力释放，减少外延膜中的应力；非故意掺杂氮化物层的平坦表面具有较低的表面粗糙度，能够为后续外延膜的生长提供良好的生长表面。因此，本发明通过交替沉积的重掺杂氮化物层与非故意掺杂氮化物层能够减少后续生长的外延膜中的缺陷，有利于改善器件性能。
本发明授权一种氮化物薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化物薄膜，其特征在于：包括衬底、位于衬底上的缓冲层以及位于缓冲层上的交替沉积的重掺杂氮化物层和非故意掺杂氮化物层，其中，交替沉积的重掺杂氮化物层和非故意掺杂氮化物层的周期数为5、10、20、50、100、200或500，所述重掺杂氮化物层具有粗糙表面结构，所述粗糙表面结构具有3D岛状生长结构；非故意掺杂氮化物层具有平坦表面结构，所述平坦表面结构具有2D层状生长结构； 所述重掺杂氮化物层的氮化物和非故意掺杂氮化物层的氮化物均为GaN或均为AlN或重掺杂氮化物层的氮化物为AlxGa1-xN，0x1，非故意掺杂氮化物层的氮化物为AlyGa1-yN，0y1，x、y值相同或不同； 所述重掺杂氮化物层的氮化物掺杂元素为Si，掺杂浓度为5×1018~1×1021cm-3。
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