长江存储科技有限责任公司王启光获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115802758B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211486100.0，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维存储器的制作方法是由王启光设计研发完成，并于2020-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种三维存储器的制作方法。该方法在形成牺牲层的工艺中，顶层牺牲层对底层牺牲层具有第一刻蚀选择比A，顶层牺牲层对中间牺牲层具有第二刻蚀选择比B，其中，A≤B≤1，且A≠1，从而通过在牺牲层的沉积阶段通过改变材料组分，在湿法刻蚀去除上述牺牲层的工艺中改变了牺牲层的刻蚀速率，使位于下层的牺牲层相比于上层的牺牲层的刻蚀速率更大，上述刻蚀速率的差异能够平衡工艺中刻蚀负载效应而导致的下层牺牲层与上层牺牲层的刻蚀速率的差异，降低了与上层牺牲层接触的部分电荷阻挡层受到的损伤，有效解决了电荷阻挡层在上下位置损伤不均的问题，提高了电荷阻挡层在上下位置的台阶覆盖能力。
本发明授权三维存储器的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括： 第一堆叠结构，包括交替堆叠的第一介电层和第二介电层，所述第一介电层包括上部第一介电层和下部第一介电层；其中，所述上部第一介电层对所述下部第一介电层具有第一刻蚀选择比A，其中，A＜1；所述第二介电层包括隔离层，所述第一介电层位于相邻所述隔离层之间； 沿所述上部第一介电层指向所述下部第一介电层的方向贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道结构，所述第一沟道结构包括存储结构，所述存储结构中的电荷阻挡层和所述第一介电层、所述第二介电层接触。
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