上海鼎泰匠芯科技有限公司梁婧媛获国家专利权
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龙图腾网获悉上海鼎泰匠芯科技有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115938924B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211475924.8，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由梁婧媛;邵克坚;李明;梁玲;邬瑞彬;赵君红设计研发完成，并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供基底；于所述基底内形成初始沟槽；对所述初始沟槽底部的所述基底进行离子注入，以形成离子注入区；对所述基底进行热氧化处理，以于所述初始沟槽的底部形成底部为弧形的底部牺牲层；去除所述底部牺牲层，以得到底部为弧形的沟槽。本申请的半导体结构的制备方法可以减小对沟槽的侧推，进而可以保证基于此沟槽进行后续制程工艺时获得的结构的关键尺寸符合要求，并且可以避免因为沟槽底部存在尖角导致出现尖端放电的问题，在将沟槽用作栅极沟槽时可以更好地保护栅极。
本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底； 于所述基底内形成初始沟槽； 对所述初始沟槽底部的所述基底进行离子注入，以形成离子注入区；所采用的注入离子包括磷离子、砷离子和锑离子中的至少一种； 对所述基底进行热氧化处理，以于所述初始沟槽的底部形成底部为弧形的底部牺牲层；其中，离子注入使得初始沟槽底部的离子注入区的晶格被损伤，在热氧化处理过程中氧气顺着损伤的晶格到达初始沟槽底部与基底进行反应获得底部牺牲层；离子注入时，注入到两端的离子会在底角发生溅射，导致部分离子溅射到侧壁，离子注入区中靠近中间区域的离子注入的深度大于靠近两端区域的离子注入的深度，在热氧化处理的过程中，形成的底部牺牲层会沿着所述离子注入区的形貌进一步圆化； 去除所述底部牺牲层，以得到底部为弧形的沟槽。
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