株式会社村田制作所今井翔平获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社村田制作所申请的专利功率放大电路、差动功率放大电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116015229B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211264148.7，技术领域涉及：H03F3/21；该发明授权功率放大电路、差动功率放大电路是由今井翔平设计研发完成，并于2022-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率放大电路、差动功率放大电路在说明书摘要公布了：提供一种功率放大电路、差动功率放大电路，提高针对高频信号的输入阻抗。功率放大电路具备：第一晶体管，该第一晶体管的基极或栅极通过电容器而被供给高频信号，通过电阻元件而被供给偏置电流；第二晶体管，在该第二晶体管的基极或栅极连接所述第一晶体管的发射极或源极，在该第二晶体管的集电极或漏极连接输出端子；以及第三晶体管，在该第三晶体管的集电极或漏极连接所述第一晶体管的基极或栅极，在该第三晶体管的发射极或源极连接基准电位，所述第三晶体管设置为，在向所述第二晶体管的集电极或漏极流动的电流增大的情况下，向所述第三晶体管的集电极或漏极流动的电流增大。
本发明授权功率放大电路、差动功率放大电路在权利要求书中公布了：1.一种功率放大电路，具备： 第一晶体管，该第一晶体管的基极或栅极通过电容器而被供给高频信号，通过电阻元件从偏置电路被供给偏置； 第二晶体管，在该第二晶体管的基极或栅极连接所述第一晶体管的发射极或源极，在该第二晶体管的集电极或漏极连接输出端子；以及 第三晶体管，在该第三晶体管的集电极或漏极连接所述第一晶体管的基极或栅极，在该第三晶体管的发射极或源极连接基准电位， 所述第三晶体管设置为，在向所述第二晶体管的集电极或漏极流动的电流增大的情况下，向所述第三晶体管的集电极或漏极流动的电流增大， 所述电阻元件连接在所述偏置电路与所述第一晶体管的基极或栅极之间。
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