杭州领挚科技有限公司冯林润获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州领挚科技有限公司申请的专利一种薄膜晶体管传感像素电路、阵列和结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116075159B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310097258.7，技术领域涉及：H10K19/10；该发明授权一种薄膜晶体管传感像素电路、阵列和结构是由冯林润;刘哲;杜江文;邱鹏飞;何俊峰设计研发完成，并于2023-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜晶体管传感像素电路、阵列和结构在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种薄膜晶体管传感像素电路、阵列和结构，该电路包括：开关晶体管、传感晶体管、工作电极和参比电极；开关晶体管为双栅结构，包括第一栅电极、第二栅电极、第一源漏极和第二源漏极；第一栅电极和第二栅电极相连；传感晶体管为双栅结构，包括第三栅电极、第四栅电极、第三源漏极和第四源漏极；第三栅电极作为阈值电压调控电极，第四栅电极与工作电极相连；第一源漏极输出传感信号，第二源漏极与第三源漏极相连，第四源漏极与参比电极相连；参比电极设置为提供偏置电压。通过该实施例方案，使得溶液中电压维持在较低水平，并极大地提高了对分子检测的灵敏度，并保证了像素传感信号被可靠读取。
本发明授权一种薄膜晶体管传感像素电路、阵列和结构在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管传感像素电路，其特征在于，包括：开关晶体管、传感晶体管、工作电极和参比电极； 所述开关晶体管为双栅结构，所述开关晶体管包括：第一栅电极、第二栅电极、第一源漏极和第二源漏极；所述第一栅电极和所述第二栅电极相连； 所述传感晶体管为双栅结构，所述传感晶体管包括：第三栅电极、第四栅电极、第三源漏极和第四源漏极；所述第三栅电极作为阈值电压调控电极，所述第四栅电极与所述工作电极相连； 所述第一源漏极设置为输出传感信号，所述第二源漏极与所述第三源漏极相连，所述第四源漏极与所述参比电极相连； 所述参比电极设置为提供1V以内的偏置电压。
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