湖北九峰山实验室贾汉祥获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种基于碳膜的碳化硅欧姆接触结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116092923B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310084564.7，技术领域涉及：H01L21/04；该发明授权一种基于碳膜的碳化硅欧姆接触结构及其制备方法是由贾汉祥;李英万;柳俊;陶卓设计研发完成，并于2023-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于碳膜的碳化硅欧姆接触结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于碳膜的碳化硅欧姆接触结构及其制备方法，上述的制备方法包括：在SiC衬底表面沉积C膜，并进行第一次退火处理；在C膜背离SiC衬底的一侧沉积金属层；对金属层背离C膜的一侧进行氮化处理，形成金属氮化物钝化层；进行第二次退火处理，以使金属与C膜反应形成金属碳化物中间层，得到金属氮化物金属碳化物SiC结构。该制备方法通过在SiC和金属层之间引入C膜，可有效避免SiC中C元素扩散引起的接触势垒和接触电阻的升高，进行退火处理得到热稳定性好的金属碳化物，以得到低电阻且热稳定的碳化硅欧姆接触结构，使得碳化硅欧姆接触结构能够保持较好的欧姆接触特性，提高了器件的可靠性。
本发明授权一种基于碳膜的碳化硅欧姆接触结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于碳膜的碳化硅欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，包括： 步骤1：在SiC衬底需要金属化的表面沉积C膜，并进行第一次退火处理；所述第一次退火处理的温度为1700～2000℃； 步骤2：在所述C膜背离所述SiC衬底的一侧沉积金属层； 步骤3：对所述金属层背离所述C膜的一侧进行氮化处理，形成金属氮化物钝化层，得到氮化物钝化层金属C膜SiC结构； 步骤4：对所述氮化物钝化层金属C膜SiC结构进行第二次退火处理，以使所述金属与所述C膜反应形成金属碳化物中间层，得到金属氮化物金属碳化物SiC结构；所述第二次退火处理的温度为1200～1500℃。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北九峰山实验室，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号19层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励