长鑫存储技术有限公司张魁获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116092937B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111314977.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构、存储器是由张魁设计研发完成，并于2021-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法及半导体结构、存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构、存储器，半导体结构的制备方法包括：在衬底上形成第一半导体层，第一半导体层具有第一沟道区以及位于第一沟道区相对两侧的待掺杂区；形成字线，字线环绕第一沟道区的第一半导体层侧面，至少部分待掺杂区的第一半导体层的投影与字线在衬底表面的投影重合；形成掺杂主体部，掺杂主体部内具有第一掺杂离子，掺杂主体部与待掺杂区远离第一沟道区的端面接触；进行退火处理，以使第一掺杂离子扩散至待掺杂区，将待掺杂区转化为掺杂区，且沿掺杂区指向第一沟道区的方向上，掺杂区中的掺杂离子浓度递减。本公开实施例有利于改善半导体结构中栅极的控制能力。
本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成第一半导体层，所述第一半导体层具有第一沟道区以及位于所述第一沟道区相对两侧的待掺杂区，所述第一沟道区与所述待掺杂区的排列方向与所述衬底表面平行； 形成字线，所述字线环绕所述第一沟道区的所述第一半导体层侧面，至少部分所述待掺杂区的所述第一半导体层的投影与所述字线在所述衬底表面的投影重合； 形成掺杂主体部，所述掺杂主体部内具有第一掺杂离子，所述掺杂主体部与所述待掺杂区远离所述第一沟道区的端面接触； 进行退火处理，以使所述第一掺杂离子扩散至所述待掺杂区，将所述待掺杂区转化为掺杂区，且沿所述掺杂区指向所述第一沟道区的方向上，所述掺杂区中的掺杂离子浓度递减。
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