江南大学敖金平获国家专利权
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龙图腾网获悉江南大学申请的专利一种GaN基CMOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153933B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310263055.0，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权一种GaN基CMOS器件及其制备方法是由敖金平;朱霞;左敏;王霄;李杨;陈治伟;白利华设计研发完成，并于2023-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN基CMOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaN基CMOS器件及其制备方法，包括衬底；缓冲层，缓冲层的下表面与所述衬底接触；外延层，由位于所述缓冲层上表面的PMOS区和NMOS区构成；以及，电极，包括在所述NMOS区设置的NMOS肖特基栅电极、NMOS欧姆电极以及在所述PMOS区设置的PMOS欧姆电极和PMOS肖特基栅电极；其中，所述NMOS肖特基栅电极和所述PMOS肖特基栅电极均为鳍状结构。本发明的GaN基CMOS器件，载流子迁移率大大提升，栅控能力更强，栅泄漏较小，具有更广的实用范围。
本发明授权一种GaN基CMOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基CMOS器件，其特征在于：包括， 衬底100； 缓冲层200，缓冲层200的下表面与所述衬底100接触； 外延层300，由位于所述缓冲层200上表面的PMOS区301和NMOS区302构成；以及， 电极400，包括在所述NMOS区302设置的NMOS肖特基栅电极401、NMOS欧姆电极402以及在所述PMOS区301设置的PMOS欧姆电极403和PMOS肖特基栅电极404； 其中，所述NMOS肖特基栅电极401和所述PMOS肖特基栅电极404均为鳍状结构； 所述PMOS区301自下而上依次设置有GaN层301a、AlGaN层301b、buffer层301c、AlN层301d和第二GaN层301e； 所述GaN层301a与所述缓冲层200接触，所述AlN层301d与所述第二GaN层301e之间形成空穴沟道，所述第二GaN层301e两侧设有所述PMOS欧姆电极403，所述第二GaN层301e与所述PMOS肖特基栅电极404接触。
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