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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种极化独立可调的双极化方向图可重构天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116154491B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211717537.0，技术领域涉及：H01Q21/24；该发明授权一种极化独立可调的双极化方向图可重构天线是由衣建甲;王珺锋;薛保义;朱丽娜;朱士涛;陈晓明;张安学设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种极化独立可调的双极化方向图可重构天线在说明书摘要公布了：本发明公开了一种极化独立可调的双极化方向图可重构天线，通过水平极化层和垂直极化层的特殊性，解决了采用单独重构器件的可重构天线每个极化只能一维扫描的问题。每个极化均可以在E面和H面进行二维偏转，即上下左右均可偏转。可重构天线调控的是表面电流，两个极化的天线分别位于介质基板的上下两表面，而表面电流无法穿过介质，因此双极化天线两个极化的调控互不影响。将可重构天线应用在基站阵列天线上时，由于两个极化可以同时向不同方向偏转，因此可以实现多波束天线，同时服务于不同方位的不同用户。在不增加阵列天线数量的前提下，大大提高基站天线的通信容量。作为方向图可重构天线，具备补偿阵列天线大角度扫描时增益塌陷的问题。

本发明授权一种极化独立可调的双极化方向图可重构天线在权利要求书中公布了：1.一种极化独立可调的双极化方向图可重构天线，其特征在于，包括水平极化层L1、介质基底层L2、垂直极化层L3、反射地板L4和连接介质； 所述水平极化层L1安装在所述介质基底层L2的上表面，所述垂直极化层L3安装在所述介质基底层L2的下底面；所述水平极化层L1和所述垂直极化层L3均通过连接介质与所述反射地板L4相连； 在所述水平极化层L1上安装有第一二极管机构，在所述垂直极化层L3上安装有第二二极管机构，在所述反射地板L4上安装有第三二极管机构； 所述水平极化层L1包括水平极化蝶形贴片天线A1、第一EBG结构E1、第二EBG结构E2、第一寄生枝节P1和第二寄生枝节P2；所述第一EBG结构E1、所述第二EBG结构E2、所述第一寄生枝节P1和所述第二寄生枝节P2分别位于所述水平极化蝶形贴片天线A1的四周；所述第一EBG结构E1和所述第二EBG结构E2均通过连接介质与所述反射地板L4相连； 所述垂直极化层L3包括垂直极化蝶形贴片天线A2、第三EBG结构E3、第四EBG结构E4、第三寄生枝节P3和第四寄生枝节P4；所述第三EBG结构E3、所述第四EBG结构E4、所述第三寄生枝节P3和所述第四寄生枝节P4分别位于所述垂直极化蝶形贴片天线A2的四周；所述第三EBG结构E3和所述第四EBG结构E4均通过连接介质与所述反射地板L4相连； 第一二极管机构包括PIN1和PIN2，所述PIN1安装在所述第一寄生枝节P1上，所述PIN2安装在所述第二寄生枝节P2上； 第二二极管机构包括PIN3和PIN4，所述PIN3安装在所述第三寄生枝节P3上，所述PIN4安装在所述第四寄生枝节P4上； 第三二极管机构包括PIN5、PIN6、PIN7、PIN8、PIN9、PIN10、PIN11和PIN12；所述PIN5和所述PIN6加载在反射地板上用于控制第三EBG结构E3的通断；所述PIN7和所述PIN8加载在反射地板上用于控制第一EBG结构E1的通断；所述PIN9和所述PIN10加载在反射地板上用于控制第四EBG结构E4的通断；所述PIN11和所述PIN12加载在反射地板上用于控制第二EBG结构E2的通断。

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