上海华力集成电路制造有限公司田志获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利改善金属栅高压器件集成工艺中低压器件漏电的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207041B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310333920.4，技术领域涉及：H01L21/77；该发明授权改善金属栅高压器件集成工艺中低压器件漏电的方法是由田志;陈昊瑜;邵华设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善金属栅高压器件集成工艺中低压器件漏电的方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种改善金属栅高压器件集成工艺中低压器件漏电的方法，包括：步骤S1，提供一衬底，衬底包括低压器件区、中压器件区和高压器件区；步骤S2，回刻蚀中压器件区和低压器件区的有源区；步骤S3，在中压器件区和低压器件区形成第一栅氧化层；步骤S4，去除低压器件区的第一栅氧化层；步骤S5，在低压器件区形成第二栅氧化层。本申请同时对中压器件区和低压器件区的有源区进行回刻蚀，避免单独回刻蚀高压器件区和中压器件区对低压器件区的隔离部件的消耗，确保低压器件区的隔离部件高于有源区，不增加低压器件的漏电。
本发明授权改善金属栅高压器件集成工艺中低压器件漏电的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善金属栅高压器件集成工艺中低压器件漏电的方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤S1，提供一衬底，所述衬底上形成有隔离部件，所述隔离部件将所述衬底分成的多个区域包括低压器件区、中压器件区和高压器件区； 步骤S2，回刻蚀所述中压器件区和所述低压器件区的有源区，使所述有源区低于所述隔离部件； 步骤S3，在所述中压器件区和所述低压器件区形成第一栅氧化层； 步骤S4，去除所述低压器件区的第一栅氧化层； 步骤S5，在所述低压器件区形成第二栅氧化层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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