深圳市国碳半导体科技有限公司李文新获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市国碳半导体科技有限公司申请的专利碳化硅晶体生长电阻炉用电极结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116222237B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310223584.8，技术领域涉及：F27D11/10；该发明授权碳化硅晶体生长电阻炉用电极结构是由李文新;姚永兴设计研发完成，并于2023-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅晶体生长电阻炉用电极结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅晶体生长电阻炉用电极结构，装配于炉腔内，包括电极主体和绝缘套，其中，电极主体，电极主体的第一端与功率元件电连接，第二端则探出于炉腔的内壁，且延伸连接至加热体；绝缘套套设于炉腔与加热体之间的电极主体上；通过绝缘套以对电极主体进行包覆，进而与气体媒介形成隔绝，在高温阶段，能有效避免电离现象的发生，使得升温的速度不受影响，增强整体升温工作的可靠性，应用于电阻炉设备，能够为碳化硅的生长提供一个更为适宜的环境。
本发明授权碳化硅晶体生长电阻炉用电极结构在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体生长电阻炉用电极结构，装配于炉腔内，其特征在于，包括： 电极主体，所述电极主体的第一端与功率元件电连接，第二端则探出于所述炉腔的内壁，且延伸连接至加热体； 绝缘套，所述绝缘套套设于所述炉腔与所述加热体之间的所述电极主体上； 其中，所述绝缘套的厚度为15mm；所述绝缘套的周向方向上还开设有多组环状沟槽；所述绝缘套形成环状沟槽的边材外径还设有导角结构；其中，所述绝缘套的材质为六方氮化硼。
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