买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉贵州雅光电子科技股份有限公司;贵州恒芯微电子科技有限公司申请的专利一种高精度自校准磁开关芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116222626B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310315957.4，技术领域涉及：G01D5/12；该发明授权一种高精度自校准磁开关芯片是由何生生;王为;李泽宏;李勇设计研发完成，并于2023-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高精度自校准磁开关芯片在说明书摘要公布了：本申请公开了一种高精度自校准磁开关芯片，用于提高芯片磁场检测工作的精准度。本申请包括：VCC管脚分别与带隙基准及电流偏置模块和调试校准模块连接；带隙基准及电流偏置模块分别与供电电压模块和参考电压模块连接；数字模块分别与调试校准模块和参考电压模块VREF_COMP连接；惠斯通电桥分别与供电电压模块、GND管脚和低失调比较器连接；低失调比较器分别与参考电压模块、数字模块和第一晶体管NMOS连接；第一晶体管NMOS分别与GND管脚和OUT管脚连接；复用输出模块分别与数字模块、调试校准模块和OUT管脚连接；调试校准模块分别与OUT管脚和Test管脚连接。

本发明授权一种高精度自校准磁开关芯片在权利要求书中公布了：1.一种高精度自校准磁开关芯片，其特征在于，包括： 惠斯通电桥、供电电压模块Regulator、带隙基准及电流偏置模块BGamp;Ibias、低失调比较器COMP、参考电压模块VREF_COMP、数字模块DigitalTOP、调试校准模块DebugDUTamp;Cali、复用输出模块MUX和第一晶体管NMOS； VCC管脚分别与所述带隙基准及电流偏置模块BGamp;Ibias和所述调试校准模块DebugDUTamp;Cali连接； 所述带隙基准及电流偏置模块BGamp;Ibias分别与所述供电电压模块Regulator和所述参考电压模块VREF_COMP连接； 所述数字模块DigitalTOP分别与所述调试校准模块DebugDUTamp;Cali和所述参考电压模块VREF_COMP连接； 所述惠斯通电桥分别与所述供电电压模块Regulator、GND管脚和所述低失调比较器COMP连接； 所述低失调比较器COMP分别与所述参考电压模块VREF_COMP、所述数字模块DigitalTOP和所述第一晶体管NMOS连接； 所述第一晶体管NMOS分别与GND管脚和OUT管脚连接； 所述复用输出模块MUX分别与所述数字模块DigitalTOP、所述调试校准模块DebugDUTamp;Cali和所述OUT管脚连接； 调试校准模块DebugDUTamp;Cali分别与所述OUT管脚和Test管脚连接; 所述参考电压模块VREF_COMP包括零温度系数电流模块、正温度系数电流模块、零温度系数电阻R5、PNP三极管、缓冲器A1、缓冲器A2、第二晶体管NMOS、第三晶体管NMOS、电阻R6、参考电压VREF输出、电阻RREF和7比特电流舵型DAC； 所述零温度系数电流模块、正温度系数电流模块叠加后与所述零温度系数电阻R5的第一端连接； 所述零温度系数电阻R5的第一端与所述缓冲器A1的负极连接，所述零温度系数电阻R5的第二端与所述PNP三极管的发射极连接； 所述PNP三极管的基极和集电极接地； 所述电阻R6第一端分别与所述第二晶体管NMOS和所述缓冲器A1的正极连接，所述所述电阻R6第二端接地； 所述缓冲器A1的输出分别与所述第二晶体管NMOS和所述第三晶体管NMOS连接； 所述第二晶体管NMOS和所述第三晶体管NMOS还与电源连接； 所述参考电压VREF输出分为参考电压VREFN和参考电压VREFP，所述参考电压VREFP分别与所述第三晶体管NMOS、所述电阻RREF第一端和所述7比特电流舵型DAC连接； 所述参考电压VREFN分别与所述电阻RREF第二端、所述缓冲器A2的输出和负极连接； 所述缓冲器A2的正极与电压VBG_div连接; 所述低失调比较器COMP包括第一开关对RST、第二开关对RST、开关对Φ1、开关对Φ1d、开关对Φ2、采样电容CACB、第一级失调存储电容C1AC1B、第二级失调存储电容C2AC2B、第一级预放大A3、第二级预放大A4、动态锁存比较器Latch和D触发器DFF； 所述开关对Φ2与所述采样电容CACB连接； 所述开关对Φ1d与所述采样电容CACB连接； 所述采样电容CACB分别与所述开关对Φ1和所述第一级预放大A3连接； 所述第一级失调存储电容C1AC1B分别与所述第一级预放大A3、所述第二级预放大A4和所述第一开关对RST连接； 所述第二级失调存储电容C2AC2B分别与所述第二级预放大A4、所述第二开关对RST和所述动态锁存比较器Latch连接； 所述动态锁存比较器Latch与所述D触发器DFF连接; 所述所述开关对Φ2与所述惠斯通电桥连接； 所述开关对Φ1d与所述参考电压模块VREF_COMP连接； 所述高精度自校准磁开关芯片还包括欠压保护及过温保护模块UVLOamp;OTP； 所述欠压保护及过温保护模块UVLOamp;OTP分别与所述VCC管脚、所述带隙基准及电流偏置模块BGamp;Ibias和所述数字模块DigitalTOP连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人贵州雅光电子科技股份有限公司;贵州恒芯微电子科技有限公司，其通讯地址为：550000 贵州省贵阳市贵阳国家高新技术产业开发区沙文生态科技产业园科新南街399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。