联华电子股份有限公司许智凯获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116266556B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111550730.5，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体元件及其制作方法是由许智凯;傅思逸;林毓翔;林建廷;邱淳雅;许嘉榕;陈金宏设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为主要先提供具有高压区、中压区以及低压区的基底，然后形成第一晶体管于高压区以及第二晶体管于低压区。其中第一晶体管包含第一基座设于基底上、第一栅极介电层设于第一基座上以及第一栅极电极设于第一栅极介电层上。第二晶体管则包含一鳍状结构设于基底上以及第二栅极电极设于鳍状结构上，其中第一栅极介电层顶表面切齐鳍状结构顶表面。
本发明授权半导体元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含： 提供基底包含高压区、中压区以及低压区； 形成高压元件于该高压区，该高压元件包含： 第一基座，设于该基底上； 第一栅极介电层，设于该第一基座上；以及 第一栅极电极，设于该第一栅极介电层上； 形成低压元件于该低压区，该低压元件包含： 鳍状结构，设于该基底上；以及 第二栅极电极，设于该鳍状结构上，其中该第一栅极介电层顶表面切齐该鳍状结构顶表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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