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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利GaN基自旋发光器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314497B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310116610.7，技术领域涉及：H10H20/825；该发明授权GaN基自旋发光器件及其制备方法是由吴志明;胡玮琳;许飞雅;吴雅苹;李煦;康俊勇设计研发完成，并于2023-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本GaN基自旋发光器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaN基自旋发光器件及其制备方法，该器件包括由上至下层叠设置的金属基板、GaN基量子发光结构、绝缘隧穿层、铁磁金属层和金属保护层，GaN基量子发光结构包括沿金属基板表面依次层叠设置的电子阻挡层、空穴传输层、辐射复合层和电子传输层；绝缘隧穿层和铁磁金属层之间或GaN基量子发光结构和绝缘隧穿层之间设有1～3层的石墨烯构成的二维材料插入层。通过在绝缘隧穿层上方或下方插入少层的石墨烯，避免铁磁金属电极通过绝缘层孔洞直接与半导体接触而导致的阻抗失配，有利于自旋流的高效隧穿，还能对自旋流起到电流拓展作用，从而提升自旋流的注入效率；通过改变二维材料插入层的插入位置可调控注入电流的极化方向，调控自旋发光特性。

本发明授权GaN基自旋发光器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基自旋发光器件，其特征在于，包括由上至下层叠设置的金属基板、GaN基量子发光结构、绝缘隧穿层、铁磁金属层和金属保护层，所述GaN基量子发光结构包括沿所述金属基板表面依次层叠设置的电子阻挡层、空穴传输层、辐射复合层和电子传输层；所述绝缘隧穿层和铁磁金属层之间或者所述GaN基量子发光结构和绝缘隧穿层之间设有二维材料插入层，所述GaN基自旋发光器件的制备方法包括以下步骤： 1通过金属有机化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上依次生长GaN缓冲层、电子传输层、辐射复合层、空穴传输层和电子阻挡层； 2于所述电子阻挡层上键合金属基板，并将所述蓝宝石衬底剥离，裸露出所述GaN缓冲层； 3采用电感耦合等离子刻蚀技术对所述GaN缓冲层和电子传输层进行减薄，得到GaN基量子发光结构； 4于所述GaN基量子发光结构表面制作绝缘隧穿层、二维材料插入层、铁磁金属层和金属保护层，以形成隧道结和自旋注入电极，其中，所述绝缘隧穿层、铁磁金属层和金属保护层采用磁控溅射工艺制备而成，所述铁磁金属层位于所述绝缘隧穿层上方，所述金属保护层位于所述铁磁金属层上方；采用机械剥离工艺结合无掩膜激光直写技术制备得到从光刻胶中裸露出具有电极图案的所述二维材料插入层，所述二维材料插入层位于所述绝缘隧穿层和铁磁金属层之间或者所述GaN基量子发光结构和绝缘隧穿层之间； 5剥离剩余的光刻胶，得到具有电极图案的隧道结和自旋注入电极；所述二维材料插入层为1～3层的石墨烯。

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